دانشگاه شیراز
دانشکده علوم
پایان نامه ی کارشناسی ارشد در رشته ی فیزیک- حالت جامد
بررسی و ساخت نانوسیمهاو امکانسنجی تولید میکرومقاومت وکوچکتر از آن برپایهی قالب آلومینای آندیک متخلخل و روش انباشت الکتروشیمیایی
استاد راهنما
دکتر محمود مرادی
دیماه 1390
برای رعایت حریم خصوصی نام نگارنده پایان نامه درج نمی شود
(در فایل دانلودی نام نویسنده موجود است)
تکه هایی از متن پایان نامه به عنوان نمونه :
(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)
چکیده
در این پایاننامه ابتدا توضیحاتی پیرامون نانوفناوری و بررسی نظری و تولید نانوسیمها ارائه شده و سپس به بررسی نظری و تجربی مقاومت الکتریکی سیمهای ریز با اندازههای زیر میکرومتر پرداختهایم. در ادامه چندین روش تولید نانوساختارها را مرور کرده و بطور خاص به بررسی ساختار و نحوهی تولید قالبهای آلومینای آندیک متخلخل پرداختهایم. سپس با توجه به امکانات موجود در آزمایشگاه لایهنشانی بخش فیزیک دانشگاه شیراز، این قالبها را جهت تولید نانوسیمها برگزیدهایم. سپس این قالبها را با شرایط مختلف از قبیل الکترولیتها و ولتاژهای آندایز مختلف تولید نموده و روش انباشت الکتروشیمیایی را برای تولید نانوسیم درون حفرههای این قالب بکار بردیم. الکتروانباشت شیمیایی جهت تولید نانوسیمها با سه روش استفاده از ولتاژ مستقیم، تناوبی و پالسی انجام میگیرد. ما هر سه روش را امتحان کرده و موفق به تولید نانوسیمهای Ag، Zn، Sn و Ag-Zn شدیم. سپس نتایج حاصل را با استفاده از تصاویر میکروسکوپی SEM و آنالیز پرتوی x (XRD) تایید کردیم. همچنین با قرار دادن نمونههای Zn و Sn درون کوره اقدام به اکسایش آنها نموده و الگوی پراش نانوسیمهای ZnO و SnO2 را نیز تهیه نمودیم. در ادامه سعی گردید تا امکان تهیهی مقاومت الکتریکی از آرایهی نانوسیمهای موجود در این قالب بررسی گردد. برای این کار اتصال الکتریکی با دو طرف قالبهای حاوی نانوسیمهای Zn برقرار گردید و مقادیر مقاومت بدست آمده ثبت شد. همچنین محاسباتی برای یافتن مقاومت الکتریکی هر نانوسیم Zn بعد از اکسایش در c3000 انجام پذیرفت و مقداری تقریبی برای مقاومت نانوسیمهای ZnO ارائه گشت.
فهرست مطالب
عنوان صفحه
فصل اول:مقدمه
1-1- مقدمهای بر نانوتکنولوژی………………………………………………………………………………………………. 2
1-2- روشهای ساخت آرایهای از نانوسیمها………………………………………………………………………… 3
1-3- ساخت قالبهای حفرهدار……………………………………………………………………………………………… 3
1-4- پرکردن حفرهها به روش الکتروانباشت شیمیایی……………………………………………………….. 4
1-5- هدف از این پایاننامه…………………………………………………………………………………………………….. 4
فصل دوم: نانوفناوری
2-1- مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………… 7
2-2- دستهبندی نانوساختارها………………………………………………………………………………………………… 8
2-2-1- فراوردههای نانوی یک بعدی………………………………………………………………………………. 8
2-2-2- فراوردههای نانوی دو بعدی………………………………………………………………………………… 9
2-2-3- فراوردههای نانوی سه بعدی………………………………………………………………………………. 9
2-3- تجهیزات شناسایی نانومواد……………………………………………………………………………………………. 9
2-3-1- میکروسکوپ الکترونی عبوری(TEM)……………………………………………………………….. 10
2-3-2- میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM)……………………………………………………………….. 12
2-3-2-1- بزرگنمایی………………………………………………………………………………………………… 12
2-3-2-2- آمادهسازی نمونه………………………………………………………………………………………. 12
2-3-3- میکروسکوپ روبشی تونل زنی(STM)……………………………………………………………….. 13
2-3-4- تولید و خواص اشعهی ایکس……………………………………………………………………………. 15
2-4- نانوسیمها……………………………………………………………………………………………………………………….. 17
2-4-1- انواع نانوسیمها……………………………………………………………………………………………………. 17
2-4-2- کاربرد نانوسیمها…………………………………………………………………………………………………. 18
عنوان صفحه
2-4-2-1- کاربردهای اپتیکی…………………………………………………………………………………….. 18
2-4-2-2- کاربردهای الکترونیکی……………………………………………………………………………… 19
2-4-2-3- کاربرد الکتروشیمیایی………………………………………………………………………………. 19
2-4-2-4- کاربردهای مغناطیسی……………………………………………………………………………… 19
2-4-2-5- کابردهای حسگری……………………………………………………………………………………. 20
فصل سوم:خواص الکتریکی مواد کپهای و محدود شده
3-1- مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………… 22
3-2- ساختار فضایی جامدات و شبکههای بلوری…………………………………………………………………. 22
3-3- مواد نیمههادی………………………………………………………………………………………………………………. 23
3-3-1- الگوی نوار انرژی نیمههادیها……………………………………………………………………………. 23
3-4- برخی از خواص و تعاریف در حوزهی رسانش مواد بالک…………………………………………… 24
3-4-1- خلوص………………………………………………………………………………………………………………….. 24
3-4-2- حاملها………………………………………………………………………………………………………………… 24
3-4-3- جرم موثر……………………………………………………………………………………………………………… 25
3-4-4- مسافت آزاد میانگین…………………………………………………………………………………………… 25
3-4-5- سطح فرمی و پارامترهای مرتبط با آن……………………………………………………………… 26
3-4-6- چگالی حالات سیستم………………………………………………………………………………………… 27
3-4-7- مقاومت الکتریکی………………………………………………………………………………………………… 28
3-4-7-1- علت مقاومت……………………………………………………………………………………………… 29
3-4-7-1-1- در فلزات…………………………………………………………………………………………. 29
3-4-7-1-2- در نیمههادیها و عایقها……………………………………………………………… 29
3-4-7-1-3- در مایعات یونی/الکترولیتها…………………………………………………………. 30
3-5- برخی از خواص و تعاریف در حوزهی رسانش در مواد با مقیاس ریز………………………… 30
3-5-1- چگالی حالات سیستمهای نانومقیاس………………………………………………………………. 30
3-5-2- مقاومت در مقیاسهای ریز…………………………………………………………………………………. 31
3-5-3- رسانش در سیمهای ریز…………………………………………………………………………………….. 32
3-5-3-1- رسانش در نانوسیمها در ناحیهی با اثرات کوانتمی………………………………. 32
3-5-3-2- پیشینهی محاسبهی رسانندگی در ابعاد ریز نزدیک به
مسافت آزاد میانگین……………………………………………………………………………………………………… 33
عنوان صفحه
3-5-3-3- رسانش در نانوسیمهای بسبلور با ابعاد نزدیک
به مسافت آزاد میانگین……………………………………………………………………………………………….. 34
3-5-3-4- اندازهگیری تجربی مقاومت ویژهی نانوسیم طلا…………………………………….. 36
3-5-3-5- محاسبات نظری مقاومت ویژهی نانوسیمها…………………………………………….. 37
3-5-3-6- محاسبات تئوری مقاومت ویژهی نانوسیم طلا……………………………………….. 39
3-5-4- نانوسیمهای نیمههادی……………………………………………………………………………………….. 41
3-5-4-1- نانوسیم ZnO……………………………………………………………………………………………. 42
فصل چهارم: نانوحفره و کاربردهای آن
4-1- مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………. 44
4-2- آندایز آلومینیوم……………………………………………………………………………………………………………… 45
4-3- انواع فیلم اکسیدی آندیک……………………………………………………………………………………………. 45
4-4- ساختار کلی آلومینای آندیک متخلخل………………………………………………………………………… 46
4-5-سینتیک ساخت آلومینای آندیک متخلخل خود نظم یافته……………………………………….. 47
4-5-1- آندایز در رژیمهای جریان ثابت و پتانسیل ثابت………………………………………………. 47
4-5-2- نرخ رشد و انحلال فیلم اکسیدی………………………………………………………………………. 49
4-5-3- آندایز به روش سخت و نرم……………………………………………………………………………….. 50
4-5-4- آندایز پالسی آلومینیوم……………………………………………………………………………………….. 52
4-6- مکانیسم رشد فیلم متخلخل در حضور میدان……………………………………………………………. 54
4-7- رشد حالت پایدار آلومینای متخلخل……………………………………………………………………………. 56
4-8- قطر حفره……………………………………………………………………………………………………………………….. 57
4-9- فاصلهی بین حفرهای…………………………………………………………………………………………………….. 58
4-10- ضخامت دیواره…………………………………………………………………………………………………………….. 59
4-11- ضخامت لایهی سدی………………………………………………………………………………………………….. 60
4-12- تخلخل…………………………………………………………………………………………………………………………. 60
4-13- چگالی حفره………………………………………………………………………………………………………………… 61
4-14- رشد خود شکلیافته و رشد با الگو هدایت شده ی آلومینای متخلخل با
نظم بالا …………………………………………………………………………………………………………………………………….. 62
4-15- آندایز دو طرفه…………………………………………………………………………………………………………….. 65
4-16- بهم زدن محلول حین آندایز……………………………………………………………………………………… 66
عنوان صفحه
4-17- مراحل پیش آندایز……………………………………………………………………………………………………… 66
4-17-1- چربیزدایی نمونه…………………………………………………………………………………………….. 66
4-17-2- آنیل کردن نمونه……………………………………………………………………………………………… 67
4-17-3- پالیش کردن نمونه…………………………………………………………………………………………… 67
4-18- مقاومت لایهی سدی…………………………………………………………………………………………………… 68
4-19- مراحل پس از آندایز…………………………………………………………………………………………………… 68
4-19-1- حل کردن آلومینیوم پشت نمونه……………………………………………………………………. 68
4-19-2- برداشتن لایهی سدی………………………………………………………………………………………. 69
4-19-3- نازکسازی لایهی سدی…………………………………………………………………………………… 70
4-20- ساخت نانوساختارها بهکمک قالب AAO………………………………………………………………… 70
4-20-1- نانونقاط، نانوسیمها و نانولولههای اکسید فلز……………………………………………………….. 72
فصل پنجم: روشهای تولید نانوساختارها
5-1- مقدمه……………………………………………………………………………………………………………………………… 74
5-2- فرایند لیتوگرافی و محدودیتها…………………………………………………………………………………… 74
5-3- روشهای غیرلیتوگرافی………………………………………………………………………………………………… 75
5-3-1- انباشت بخار فیزیکی(PVD)………………………………………………………………………………. 76
5-3-1- 1- کند و پاش………………………………………………………………………………………………. 76
5-3-1-2- تبخیر پرتوی الکترونی……………………………………………………………………………… 76
5-3-2- انباشت بخار شیمیایی(CVD)…………………………………………………………………………… 77
5-3-3- انباشت سل-ژل…………………………………………………………………………………………………… 77
5-3-4- انباشت الکتروفورتیک (EPD)……………………………………………………………………………. 77
5-3-5- انباشت الکتروشیمیایی……………………………………………………………………………………….. 78
5-3-6- انباشت لیزر پالسی (PLD)………………………………………………………………………………… 78
5-4- روشهای ساخت آرایهای از نانوسیمها………………………………………………………………………… 79
5-4-1- اصول کلی انباشت الکتروشیمیایی……………………………………………………………………. 79
5-4-2- روشهای مختلف الکتروانباشت…………………………………………………………………………. 80
5-4-2-1- آندایز با ولتاژ مستقیم……………………………………………………………………………… 81
5-4-2-2- انباشت با ولتاژ تناوبی………………………………………………………………………………. 81
5-4-2-3- انباشت با ولتاژ پالسی………………………………………………………………………………. 83
عنوان صفحه
5-4-3- شرایط تاثیر گزار بر الکتروانباشت……………………………………………………………………… 84
5-4-4- الکتروانباشت آرایههای نانوسیم چندلایه………………………………………………………….. 85
5-4-5- الکتروانباشت نانوسیمهای نیمههادی………………………………………………………………… 86
فصل ششم: روش کار
6-1- تهیهی نمونهها بعنوان قالب ………………………………………………………………………………………… 88
6-1-1- مراحل پیش آندایز……………………………………………………………………………………………… 88
6-1-1-1- انتخاب نمونهی اولیه………………………………………………………………………………… 88
6-1-1-2- تمیز کردن نمونه……………………………………………………………………………………… 89
6-1-1-3- بازپخت نمونه……………………………………………………………………………………………. 89
6-1-1-4- پالیش کردن نمونه…………………………………………………………………………………… 89
6-1-2- آندایز نمونه………………………………………………………………………………………………………….. 92
6-1-2-1- سوار کردن نمونه……………………………………………………………………………………… 93
6-1-2-2- خنک کردن نمونه……………………………………………………………………………………. 93
6-1-2-3- آندایز در V130………………………………………………………………………………………. 94
6-1-2-4- آندایز در v86………………………………………………………………………………………….. 95
6-1-2-5- حل کردن آلومینا……………………………………………………………………………………… 95
6-1-2-6- آندایز در 104 و v8/68………………………………………………………………………… 96
6-1-3- مراحل پس از آندایز…………………………………………………………………………………………… 96
6-1-3-1- نازکسازی نمونه………………………………………………………………………………………………….. 99
6-1-3-2- گشاد کردن حفرهها………………………………………………………………………………….. 99
6-1-3-3- حل کردن لایهی آلومینیوم…………………………………………………………………….. 100
6-1-3-4- باز کردن ته حفرهها…………………………………………………………………………………. 100
6-2- انباشت در قالب……………………………………………………………………………………………………………… 100
6-2-1- الکتروانباشت به روش مستقیم………………………………………………………………………….. 100
6-2-1-1- آمادهسازی نمونه جهت انباشت مستقیم……………………………………………….. 100
6-2-1-2- روش کار……………………………………………………………………………………………………. 102
6-2-2- الکتروانباشت به روش تناوبی…………………………………………………………………………….. 102
6-2-2-1- آمادهسازی نمونه جهت انباشت تناوبی…………………………………………………… 103
6-2-2-2- روش کار……………………………………………………………………………………………………. 103
عنوان صفحه
6-2-2-2-1- الکتروانباشت نانوسیمهای Sn………………………………………………………. 104
6-2-2-2-2- الکتروانباشت نانوسیمهای Zn………………………………………………………. 106
6-2-2-2-3- الکتروانباشت نانوسیمهای نقره…………………………………………………….. 109
6-2-2-2-4- الکتروانباشت نانوسیمهای Ag/Zn ……………………………………………… 111
6-2-3- الکتروانباشت به روش پالسی……………………………………………………………………………… 113
6-2-3-1- آمادهسازی نمونه جهت انباشت پالسی…………………………………………………… 113
6-2-3-2- روش کار…………………………………………………………………………………………………… 113
6-2-3-2-1- الکتروانباشت پالسی نانوسیمهای Zn…………………………………………… 113
6-3- آمادهسازی نمونهها جهت تهیهی تصویر SEM ……………………………………………………. 116
6-4- آمادهسازی نمونهها جهت تهیهی تصویر XRD…………………………………………………….. 117
6-5- اکسید کردن نمونهها……………………………………………………………………………………………….. 118
6-6- مقاومتسنجی نمونهها…………………………………………………………………………………………….. 120
6-6-1- مقاومتسنجی بدون انحلال لایهی سدی…………………………………………………………. 120
6-6-2- مقاومتسنجی با انحلال لایهی سدی از روی کار…………………………………………….. 120
6-6-3- مقاومتسنجی با انحلال لایهی سدی از پشت کار…………………………………………… 121
6-7- تخمین مقدار مقاومت تقریبی تک نانوسیم Zn………………………………………………………….. 125
فصل هفتم: بحث و نتیجه گیری
بحث و نتیجهگیری……………………………………………………………………………………………………………………. 128
فهرست منابع و مأخذ………………………………………………………………………………………………………………… 131
فهرست جدول ها
عنوان صفحه
جدول (2-1) روشهای رایج تولید نانومواد……………………………………………………………………………….. 8
جدول (3-1) نیمههادیهایی که امروزه مورد استفاده قرار میگیرند……………………………………… 23
جدول (3-2) مقاومت ویژهی تقریبی مواد مختلف…………………………………………………………………….. 30
جدول (3-3) انرژی جنبشی و چگالی حالات برای ابعاد مختلف مواد نیمههادی………………….. 30
جدول (6-1) آندایزهای انجام گرفته با اهداف انباشتی و شرایط آنها…………………………………… 91
جدول (6-2) شرایط ولتاژ و فرکانس در آزمایشهای انباشت –آندایز انجام شده
در آزمایشگاه برای انباشت قلع…………………………………………………………………………………………………….. 104
جدول (6-3) خلاصهای از آزمایشهای انجام شده جهت تشکیل نانوسیمهای Zn و
شرایط آندایز و انباشت آنها………………………………………………………………………………………………………… 107
جدول (6-4) مقاومت دوسر نمونههای انباشتی با روکش طلا قبل و بعد از اکسایش…………… 123
فهرست شکل ها
عنوان صفحه
شکل (2-1) اساس کار میکروسکوپ الکترونی عبوری……………………………………………………………… 11
شکل (2-2) نمایی کلی از اجزای اصلی میکروسکوپ الکترونی روبشی………………………………….. 13
شکل (3-1) چگالی حالات برحسب انرژی الکترونها برای سیستم سه بعدی………………………. 28
شکل (3-2) نمایشی از ابعاد مواد نیمههادی و نمودارهای چگالی حالات آنها…………………….. 31
شکل (3-3) تشریح تفاوت بین پراکندگی آینهای و پخشی سطح. ………………………………………… 35
سشکل (3-4) توضیح منشاء پراکندگی مرز-دانه……………………………………………………………………… 36
شکل (3-5) نمودار اندازهگیری شده بصورت تجربی از وابستگی مقاومت ویژه
به عرض سیم ………………………………………………………………………………………………………………………………… 37
شکل (3-6) نمودار محاسبه شده از وابستگی مقاومت ویژه به عرض سیم بر پایهی
پراکندگی سطح FS ……………………………………………………………………………………………………………………… 39
شکل (4-1) (الف) ساختار آلومینای آندایز شدهی متخلخل …………………………………………………… 46
شکل (4-2) (الف) نمودار رشد اکسید متخلخل در رژیم جریان ثابت (ب) رژیم
پتانسیل ثابت (پ) مراحل جوانهزنی و رشد حفرهها در دو رژیم……………………………………………….. 48
شکل (4-3) نمودار رویهم افتادن فرایندهای رخ داده در طول رشد اکسید متخلخل
تحت رژیم آندایز پتانسیل ثابت……………………………………………………………………………………………………. 49
شکل (4-4) (الف) طرح پالس استفاده شده در آندایز پالسی با پتانسیلهای UMA
دنبال شده با UHA در مدت زمانهایMA ז و HAז ………………………………………………………………………… 53
شکل (4-5) نمودار الگووار توزیع جریان در شروع و گسترش رشد حفرهها بر
آلومینای آندایزی……………………………………………………………………………………………………………………………. 55
شکل (4-6) نمایی از حرکت یونها و انحلال اکسید در محلول سولفوریک اسید…………………. 57
شکل (4-7) الف) نمونهی اولیهی AL قبل از الکترپالیش ……………………………………………………… 63
شکل (4-8) نمایشی از الگودهی سطح آلومینیوم با استفاده از یک الگوی خارجی………………. 64
شکل (4-9) تصویر SEM از (a) قالب AAO با الگوی دایرهای ……………………………………………… 64
عنوان صفحه
شکل (4-10) نمایش الگووار مراحل تشکیل ساختار ساندویچی
PAA/AL2O3/PAA …………………………………………………………………………………………………………………… 65
شکل (4-11) نمایش طرحواری از تولید مواد نانوساختار با استفاده از آلومینای
آندیک متخلخل ……………………………………………………………………………………………………………………………… 71
شکل (5-1) منحنی جریان لحظهای فرایند الکتروانباشت و مراحل مکانیسم رشد
نانوسیمها. ………………………………………………………………………………………………………………………………………. 81
شکل (5-2) مراحل تهیهی آرایهای از نانوسیمها از طریق الکتروانباشت مستقیم…………………. 82
شکل (5-3) نمایش دو نوع پالس مربعی و سینوسی برای الکتروانباشت شیمیایی……………….. 84
شکل (5-4) نمایی از مراحل تهیهی نانوسیمهای سولفیدی با استفاده
از قالب آلومینای آندیک متخلخل و روش انباشت الکتروشیمیایی متناوب………………………………. 86
شکل (6-1) دستگاه پانج موجود در آزمایشگاه لایهنشانی جهت برش ورقهی
آلومینیوم به شکل قرصهایی با قطر cm2/1…………………………………………………………………………….. 89
شکل (6-2) سمت راست قبل از سوار شدن فلنچ بر روی راکتور و سمت چپ
بعد از سوار شدن آن………………………………………………………………………………………………………………………. 90
شکل (6-3) نمودار پالیش یک قطعه آلومینیوم در محلول پرکلریک اسید و اتانول
به نسبت حجمی یک به چهار……………………………………………………………………………………………………… 91
شکل (6-4) (الف) چینش سیستم آندایز شامل منبع تغذیه، کسی، نمایشگر رایانه،
سیستم خنک کننده، سیمهای رابط و غیره ……………………………………………………………………………… 92
شکل (6-5) نمودار جریان، ولتاژ و بار برحسب زمان در آندایز با اسید اکسالیک M3/0
در v130……………………………………………………………………………………………………………………………………….. 94
شکل (6-6) نمودار جریان، ولتاژ و بار برحسب زمان در آندایز با اکسالیک M4/0
و سولفوریک M02/0 در V130…………………………………………………………………………………………………. 94
شکل (6-7) نمودار جریان، ولتاژ و بار در آندایز با مخلوط اسید اکسالیک M05/0
و فسفریک M02/0 با ولتاژ V104 که تا مقدار بار حدود Q3 ادامه یافته است. ………………….. 95
شکل (6-8) الف) نمودار آندایز v130 و نازکسازی متعاقب تا v12 (نازکسازی از
حدود s1850 شروع شده است…………………………………………………………………………………………………… 97
شکل (6-9) دستگاه قابل برنامهریزی ولتاژ و فرکانس ac/dc مدل EC1000S
موجود در آزمایشگاه لایهنشانی……………………………………………………………………………………………………… 98
شکل (6-10) الف) نمونهی آندایز شده که بر واشر چسبیده شده
(از طرف سطح آندایزی) و واشر نیز به شیشه چسبیده است. ………………………………………………….. 101
عنوان صفحه
شکل (6-11) سیستم لایهنشانی چند منظورهی موجود در آزمایشگاه لایهنشانی
بخش فیزیک دانشگاه شیراز…………………………………………………………………………………………………………. 102
شکل (6-12) تصویر میکروسکوپی SEM از نانوسیمهای Sn بیرون زده از
حفرههای قالب آلومینای آندیک متخلخل…………………………………………………………………………………….. 105
شکل (6-13) تصویر XRD حاصل از قالب آلومینای متخلخل انباشته با نانوسیمهای
Sn با روش انباشت الکتروشیمیایی تناوبی………………………………………………………………………………….. 105
شکل (6-14) الگوی پراش XRD حاصل از قالب آلومینای آندیک متخلخل انباشته
با Zn به روش انباشت الکتروشیمیایی تناوبی. ………………………………………………………………………….. 106
شکل (6-15) سمت راست نمودار ولتاژ و جریان پالسی انباشت zn با پالسهای
نامتقارن پیوسته (v18-12) که موج آبی رنگ بار و شیب آن نماینده میزان نشست
میباشد. ………………………………………………………………………………………………………………………………………… 108
شکل (6-16) تصویر میکروسی SEM نانوسیمهای Zn بیرون زده از قالب
آلومینای آندیک متخلخل……………………………………………………………………………………………………………… 108
شکل (6-17) نمودار جریان متوسط الکتروانباشت تناوبی در انباشت نقره درون قالب
آلومینای آندیک متخلخل………………………………………………………………………………………………………………. 109
شکل (6-18) الف) تصویر سطحی قالب آلومینای آندیک، انباشتی با نانوسیمهای
Ag تهیه شده با میکروسکوپ SEM…………………………………………………………………………………………… 110
شکل (6-18) ب) تصویر سطح مقطع قالب آلومینای آندیک نازکسازی شده بهراه
نانوسیمهای Ag درون حفرهای………………………………………………………………………………………………….. 110
شکل (6-19) نمودار الکتروانباشت شیمیایی Ag-Zn درون قالب آلومینای آندیک
متخلخل. ……………………………………………………………………………………………………………………………………….. 111
شکل (6-20) الگوی پراش XRD حاصل از قالب آلومینای آندیک متخلخل انباشته
با Zn و Ag به روش انباشت الکتروشیمیایی تناوبی………………………………………………………………….. 112
شکل (6-21) تصویر میکروسکوپی SEM از نانوسیمهای Ag-Zn بیرون ریخته
از حفرههای قالب AAO………………………………………………………………………………………………………………. 112
شکل (6-22) الف) پالس مربعی استفاده شده جهت الکتروانباشت به روش پالسی …………….. 114
شکل (6-23) قالب آلومینای آندیک متخلخل پر شده با روی به …………………………………………… 114
شکل (6-24) الف) نمودار پالسهای ولتاژ طراحی شده جهت انباشت………………………………….. 115
شکل (6-25) الگوی پراش XRD حاصل از قالب آلومینای آندیک متخلخل انباشته
با Zn به روش انباشت الکتروشیمیایی پالسی. ………………………………………………………………………….. 115
عنوان صفحه
شکل (6-26) تصاویر SEM حاصل از یک نمونه الکتروانباشت پالسی درون قالب
آلومینای آندیک متخلخل بعد از آمادهسازی نمونه جهت تصویر برداری………………………………….. 116
شکل (6-27) یک نمونهی Sn بصورت کامل و یک نیم قطعه از قالب انباشت شده
که بر روی لامل چسبانده شده و AL آنها حل گردیده و آمادهی تهیهی
الگوی XRD هستند………………………………………………………………………………………………………………………. 117
شکل (6-28) تصویر XRD حاصل از قالب آلومینای آندیک متخلخل انباشته با
نانوسیمهای Zn بعد از اکسایش در دمای c3000 به مدت حدود 40 ساعت. ……………………… 119
شکل (6-29) تصویر XRD حاصل از قالب آلومینای متخلخل انباشته با نانوسیمهای
Sn بعد از اکسایش در دمای c5500 به مدت حدود 40 ساعت……………………………………………… 119
شکل (6-30) قالب آلومینای آندیک متخلخل انباشته با روی در حین انحلال در
محلول NaOH 25%………………………………………………………………………………………………………………………. 121
شکل (6-31) قالب آلومینای آندیک متخلخل پر شده با روی به روش انباشت
الکتروشیمیایی پالسی…………………………………………………………………………………………………………………… 123
شکل (6-32) نمونههای تهیه شده جهت اندازهگیری مقاومت، که روی آنها
توسط چسب نقره سیمهای نازک مسی چسبانده شده و سپس با چسب مایع
پوشش داده شدهاند………………………………………………………………………………………………………………………… 124
شکل (6-33) طرحی از سطح لانه زنبوری آلومینای آندایز شده……………………………………………. 126
برای دانلود متن کامل پایان نامه اینجا کلیک کنید.
:: بازدید از این مطلب : 55
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
